構成 メインガス:Ar サブガス:He,H2 etal 陰極:水冷W-Th 陽極:水冷銅 雰囲気:10-760Torr （1.3-101.3ｋPa）
用途 溶射、溶解、加熱、物質合成（ダイヤモンド、CBN、カーボンナノチューブ）
構成 メインガス:Ar サブガス:He,H2 etal 陰極:水冷W-Th 陽極:水冷銅、対象物 雰囲気:10-760Torr（1.3-101.3ｋPa）
用途 溶解、精製、 クリーニング
原理 粉体を容積一定の空間に流し込みすり切り留まった部分にガスを送り運び出す。
粉体 粒径：10-150μm 性状：易流動性
FPM(1×0.16)
（ＡＭ型推奨）
FP(10×0.8)
原理 粉体の中に中空二重ノズルを突込み、先端外周からガス噴射小領域を攪拌中央穴からガスと粉体が流出。
粉体 粒径：<10μm、>150μm性状：難流動性
原理 粉体表面に中空ノズルを接近させ周辺から送り込まれたガスがノズル中心の穴に流れ込む際近くの粉体を取込み運び出す。
粉体 粒径：任意 性状：任意
構成用途
原理
